IT之家 5 月 31 日音尘，三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM 商酌会”上暗示kaiyun.com，正按策划逐渐激动 eMRAM 内存的制程升级，当今 8nm eMRAM 的技巧诞生已基本完成。

动作一种新式内存，MRAM 基于磁性旨趣，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存雷同阻挡刷新数据，更为节能高效；

同期 MRAM 的写入速率又是 NAND 的 1000 倍，复旧对写入速率条目更高的运用。

▲ eMRAM 存储旨趣

eMRAM 即面向镶嵌式领域的 MRAM。三星电子当今具有 28nm eMRAM 的坐褥才调，已在向智高腕表等结尾居品供货。

凭证IT之家2023 年的报谈，三星电子那时暗示策划在 2024 年量产 14nm eMRAM；2026 年量产 8nm 的 eMRAM；到 2027 年将更进一步，达成 5nm 制程 eMRAM 量产。

当今三星电子已完成 14nm eMRAM 的诞生，8nm eMRAM 诞生也基本完成，仍策划 2027 年推出 5nm eMRAM。

三星电子以为改日车用领域对 eMRAM 的需求将捏续增长，其居品当今耐温才调已达 150~160℃，足以野蛮汽车行业对半导体的严苛条目。

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